Fabrication and characterization of Si3N4-MIS structures on p-type diamond - Université Sorbonne Paris Nord
Communication Dans Un Congrès Année : 2021

Fabrication and characterization of Si3N4-MIS structures on p-type diamond

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique Energie électrique Electronique
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JOSIANE TASSELLI  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://laas.hal.science/hal-03445543

Soumis le : mercredi 24 novembre 2021-09:05:12

Dernière modification le : mardi 12 mars 2024-03:22:51

Archivage à long terme le : vendredi 25 février 2022-18:14:35

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Dates et versions

hal-03445543 , version 1 (24-11-2021)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03445543 , version 1

Citer

Lya Fontaine, Karine Isoird, Josiane Tasselli, Emmanuel Scheid, Patrick Austin, et al.. Fabrication and characterization of Si3N4-MIS structures on p-type diamond. 31st International Conference on Diamond and Carbon Materials, Sep 2021, On line, Spain. ⟨hal-03445543⟩

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