Prospective sur les composants de puissance verticaux grand gap (Carbure de Silicium et Diamant) et leurs applications - Université Sorbonne Paris Nord Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Prospective sur les composants de puissance verticaux grand gap (Carbure de Silicium et Diamant) et leurs applications

Résumé

Les composants de puissance grand-gap sont un grand sujet de recherche depuis de nombreuses années, toutefois le principal frein à leur développement a été la disponibilité et la qualité des substrats de base. Aujourd’hui, les substrats Carbure de Silicium commencent à être disponibles industriellement avec des taux de défauts acceptables. Concernant le diamant, la technologie de croissance CVD permet à ce jour d’obtenir des substrats, certes petits, mais d’une qualité permettant d’envisager des dispositifs semi-conducteurs.
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Origine Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-04606571 , version 1 (10-06-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04606571 , version 1

Citer

Michel Mermet-Guyennet, Hervé Morel, Dominique Planson, Henri Schneider, Jocelyn Achard. Prospective sur les composants de puissance verticaux grand gap (Carbure de Silicium et Diamant) et leurs applications. 12e EPF (Electronique de Puissance du Futur), Jul 2008, Tours, France. ⟨hal-04606571⟩
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